- 以業界領先水準的超低雜訊、高紋波抑制比實現低電壓輸出 -
NISD 適用於需要大電流/低電壓運作的設備，LDO「NR1644系列」正式上市。
Nisshinbo Micro Devices Inc.（NISD）推出一款用於消費類電子產品的LDO穩壓器“NR1644系列”。
在無人機和醫療設備上都裝有攝像頭，在安保防盜上也都用到監控攝像頭，現在對攝像頭的需求在持續增長。 隨之，相機模組中搭載的CIS （CMOS圖像感測器）的需求也在日益增加。
CIS為了實現低功耗、高畫質，工作電壓的低壓化趨勢越來越明顯，因此對於驅動CIS的穩壓器，低電壓輸出的要求就越來越高。 此外，由於CIS器件對雜訊極為敏感，因此除了低電壓輸出外，還要求低雜訊。
本產品是具有最大2A輸出的LDO穩壓器，可實現0.4V低電壓輸出。 因此對於提高畫質而需要大電流的CIS而言，本產品完全能夠應對。 輸出雜訊電壓為5μVrms（10Hz to 100kHz），即使在1A的重負荷下，紋波抑制比也只有50dB（1MHz），具有超低雜訊和高紋波抑制比的特點。 此外，本產品還內置了限制啟動電流的功能，從而可以抑制浪湧電流，並且即使對後級器件電源的輸入電壓上升轉換速率和斜率等有限制，也能輕鬆控制。
此外，一般來說，實現低輸出電壓的課題是，通過增加功率晶體管（PMOS輸出型）的導通電阻來降低輸入電壓，從而導致增加功率損耗。 本產品為了實現高效穩壓，將內部電路電源輸入引腳（VBIAS）和NMOS功率晶體管輸入引腳（VIN）分離。 並且，搭載了低導通電阻（90mΩ）的NMOS功率晶體管，可以將輸入輸出電壓差抑制到非常小。 （180mV（Iout=2A））
為了降低輕負載時的消耗電流，準備了兩個版本，一種是可根據負載電流自動切換高速模式和低功耗模式的版本，另一種是重視回應性的高速模式固定版本。 此外，使用Enable引腳關斷本產品時，還可以對後級電容進行放電。 本產品採用了在面積和散熱之間獲得良好平衡的DFN2020-8-GA（2.0 x 2.0 x 0.8 mm）封裝。
產品特點
1. 降噪電容（CNR）可實現高紋波抑制比和低輸出雜訊電壓
本產品備有降噪引腳（NR引腳），在NR引腳和GND引腳之間連接0.1μF~2.2μF的降噪電容，可以實現高紋波抑制比和低輸出雜訊電壓。
VIN pin Ripple Rejection
Output Noise Voltage
2. 軟啟動功能
當「High」電平的控制信號輸入到EN引腳，接通IC時，可以根據連接在NR引腳的CNR電容和IC內部設定的充電恆流（1mA）來設定軟啟動時間。
軟啟動功能
產品圖片
NR1644系列 DFN2020-8-GA（2.0×2.0×0.8mm）
主要效能指標
| Items | NR1644 Series | VBIAS, Input Voltage Range | VSET + 1.5 V (≥2.4 V) to 5.5 V (Absolute Maximum Rating: 6.5 V) |
| VIN, Input Voltage Range | VSET + VDO to VBIAS (Absolute Maximum Rating: 6.5 V) |
| Output Voltage Range | 0.4 V to 1.5 V (0.1 V step) |
| Output Current | Max. 2 A |
| Dropout Voltage | Typ. 180 mV (IOUT = 2 A)) |
| Quiescent Current | Typ. 75 μA / 1 mA (Low-power-mode / Fast-mode) |
| Output Noise Voltage | Typ. 5 μVrms (10 Hz to 100 kHz) |
| Operating Junction Temperature Range | -40 ºC to 125 ºC | Built-in Function | Automatic Mode Alternative between Fast-mode and Low-power-mode, Thermal Shutdown Function, Power-Good Function, Soft-start Function, Discharge Function, Under Voltage Lockout Circuit (UVLO), etc. |
Package | DFN2020-8-GA (2.0 × 2.0 × 0.8 mm) |