ANJET AM12020BD 碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片 - SiC技術，低阻高效，提升電力轉換效率新高度。
在現代電力電子應用中，對於效率與性能的需求日益增長，傳統的硅基MOSFET已經無法滿足高效能和低損耗的雙重要求。ANJET公司推出的AM12020BD SiC功率MOSFET晶片，正是為了應對這一挑戰而設計的高性能解決方案。
產品特點
AM12020BD採用了碳化矽（SiC）技術，與傳統硅基MOSFET相比，該產品擁有多項顯著優勢。首先，AM12020BD具有極低的導通電阻（RDS(on)），僅為20 mΩ，這意味著在高電流下能夠有效減少功率損耗，提升整體系統的效率。其次，SiC材料的優越熱導性和穩定性，保證了AM12020BD在高溫環境中的穩定運行，最高工作結溫可達到175°C。
此外，該晶片支持高達1200V的漏源電壓（VDSS），並且擁有95A的漏極電流（ID），使其非常適合應用於要求高電壓和大電流的功率控制與整流應用中。AM12020BD還具有高速切換特性，低電容和低閘極電荷，使得它在高頻率應用中表現出色。
應用領域
AM12020BD SiC MOSFET晶片廣泛應用於高效能電力轉換系統中，包括但不限於以下幾個領域：
1. 一般整流應用：適用於高壓、大電流的整流器和轉換器。
2. 電力電子設備：如開關電源、變頻器、光伏逆變器等需要高效能與高穩定性的設備。
AM12020BD憑藉其碳化矽材料的卓越性能和ANJET的創新技術，為電力電子應用帶來了更高效、更穩定的解決方案。無論是在提升系統效率還是降低損耗方面，這款SiC MOSFET晶片都能為客戶提供理想的選擇，滿足各類高要求的電力應用需求。