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2024/7/22

NISD 發佈“MUSES”系列中首款適合高音質的電源IC ”MUSES100“。


- 面向高音質音訊的600mA超低雜訊LDO -

MUSES”系列中首款適合高音質的電源IC ”MUSES100“新品上市

通過超低雜訊和高 PSRR 實現高音質

日清紡微電子(NISD)推出高音質音訊器件“MUSES”系列中首款適合高音質的電源IC “MUSES100”系列產品。

在音訊市場中,需要高品味、能夠再現忠實於原聲的聲音以及震撼心靈與之共鳴的聲音的專用音訊設備。 為了滿足這一需求,我公司品牌“MUSES”推出了一系列高音質運算放大器和音量控制音訊產品,一直以來受到市場的高度好評。
MUSES100系列是為了提供更加「真實的聲音」而開發的,是非常適合高音質化日益增進的音訊D-A轉換器的電源IC。

Reference Diagram,Examples of Isolation Circuit

在追求高音質的音訊設備中,降噪很重要。“MUSES100”系列實現了輸出雜訊電壓為3.0μVrms、高紋波抑制比為90dB(f=10kHz)的超低雜訊特性。
採用的封裝是DFN3030-8-GQ(3.0×3.0×0.75mm)。

 

產品特點

 

1. MUSES系列首款面向高端音訊設備的高音質電源IC

“MUSES100”系列產品將MUSES系列中培養的高音質技術推廣到電源IC。 這樣,構建注重音質的系統會變得更容易。

 

2. 實現低輸出雜訊電壓和高紋波抑制比

MUSES100”系列產品實現了高音質音訊所需的超低輸出雜訊電壓和高紋波抑制比。

輸出雜訊電壓: Typ. 3.0 μVrms (Iout = 50 mA, CNR = 0.47 μF)
紋波抑制比: Typ. 90 dB (Iout = 100 mA, f = 10 kHz, CNR = 0.47 μF)

本產品備有降噪(NR)引腳,通過在NR引腳和GND引腳之間以最短距離連接降噪電容器(CNR),可實現出色的低輸出雜訊電壓和高紋波抑制比。

 

出雜訊電壓 特性示例

輸出雜訊電壓 特性示例

VIN = 4.3 V, VSET = 3.3 V, CNR = 0.47 μF, COUT = 10 µF

紋波抑制比 特性示例

紋波抑制比 特性示例

VIN = 4.3 V, Ripple 0.2 VP-P, VSET = 3.3 V, IOUT = 100 mA,
CNR = 0.47 μF, COUT = 10 μF

 

產品圖片

MUSES100

 

主要效能指標

 

Items MUSES100 Series
Input Voltage Range 2.5 V to 5.5 V (Maximum Rating, 6.5 V)
Output Voltage Range 1.2 V to 5.0 V
Output Current 600 mA
Quiescent Current Typ. 960 µA
Ripple Rejection Typ. 90 dB (f = 10 kHz)
Typ. 80 dB (f = 100 kHz)
Output Noise Voltage Typ. 3.0 μVrms
Operating Temperature Range -40°C to 85°C
Protection Function Thermal Shutdown, Under Voltage Lock Out (UVLO), etc.
Package DFN3030-8-GQ (3.0 × 3.0 × 0.75 mm)

 

基本電路示例

MUSES100

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