ANJET AM65100F：適合使用在開關電源、光伏逆變器、不間斷電源、電機設備、DC/DC 轉換器、電動汽車充電等高電壓應用的SiC Power MOSFET。

在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」（Si），第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。

第一、二代半導體的矽與砷化鎵屬於低能隙材料，數值分別為 1.12 eV 和 1.43 eV，第三代（寬能隙）半導體的能隙，寬能隙半導體中的「能隙」（Energy gap）代表著「一個能量的差距」，意即讓一個半導體「從絕緣到導電所需的最低能量」。

SiC 和 GaN 分別達到 3.2eV、3.4eV，因此當遇到高溫、高壓、高電流時，跟一、二代比起來，第三代半導體不會輕易從絕緣變成導電，特性更穩定，能源轉換也更好。

隨著 5G、電動車時代來臨，科技產品對於高頻、高速運算、高速充電的需求上升，矽與砷化鎵的溫度、頻率、功率已達極限，難以提升電量和速度；一旦操作溫度超過 100 度時，前兩代產品更容易故障，因此無法應用在更嚴苛的環境；再加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的第三代半導體成為時代下的替代方案。

第三代半導體在高頻狀態下仍可以維持優異的效能和穩定度，同時擁有開關速度快、尺寸小、散熱迅速等特性，當晶片面積大幅減少後，有助於簡化周邊電路設計，進而減少模組及冷卻系統的體積。

GaN 元件常用於電壓 900V 以下之領域，擁有耐高溫、高頻操作、高效率以及很好的移動性，應用在:高壓功率元件（Power）、高射頻元件（RF）、充電器、軍用雷達、中低功率、5G 通訊相關，產品舉例:光達、車用二極體、5G衛星通訊PA及手機快充。

SiC 是由矽（Si）與碳（C）組成，結合力強，在熱量上、化學上、機械上皆安定，SiC 本身是「同質磊晶」技術，所以品質好、元件可靠度佳，由於低耗損、高功率的特性，有很好的耐高壓、大電流的應用場景，例如電動車、電動車充電基礎設施、太陽能及離岸風電等綠能發電設備。

第三代半導體Silicon Carbide（簡稱SiC）有著以下的優點：
1.耐高壓強度大大的大於Si材料
2.導通最大電流與Si相比有大幅的進步
3.導熱能力比Si材料強化了約3倍
4.與Si材料相比，阻抗表現更加優異
5.能夠在更高的頻率下運作

SiC比Si MOSFET上的優勢：
Si材料在製作成MOSFET時，如果需要提高VDS的最大耐壓，相對的Rds阻抗就會大幅上升。這一點在SiC材料上就獲得極大的改善。 相較於傳統的Si材料，在製作高耐壓上會有困難，改用SiC時，因阻抗大小也不再是問題，所以可以製作出更高耐壓的MOSFET。

在高速開關切換中，原先的Si MOSFET的表現並不算太差，但由於Si MOSFET無法應用在高壓的情況，所以高壓的部分則由IGBT所取代，但因為IGBT無法應用在高速開關切換，所以SiC MOSFET剛好可以解決高壓高速的問題。

ANJET的AM12040G是1200V/40mΩ N-channel SiC Power MOSFET，使用低導通電阻 RDS(on)、最佳的導熱性和性能，使用第三代半導體技術擁有低電容和低柵極電荷、高頻開關的低柵極電阻，易於並聯，在環保方面通過無鉛、無鹵素、符合 RoHS 標準。

AM12040G適合使用在開關電源、光伏逆變器、不間斷電源、電機設備、DC/DC 轉換器、電動汽車充電等高電壓應用，AM12040G是使用TO-247HV-4L package。

安傑特科技致力於研究開發可顯著提高電能轉換效率的功率半導體，努力為社會做出貢獻，與日本，台灣，美國的晶圓代工廠合作，設計出最適合各種應用的功率器件（Si，SiC，GaN等）。團隊來自德州儀器(Texas Instruments)、三菱電機(Mitsubishi Electric)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、羅姆(ROHM)。平均每人擁有在半導體產業工作20到30年的經驗。